电子束光刻（EBL）是实现纳米级图形加工的关键技术。其核心在于电子束在镜筒内的精准聚焦与偏转，而这极易受外部磁场干扰，导致束斑偏移、图形畸变，严重影响分辨率与套刻精度。

我们的EBL镜筒磁屏蔽内衬，正是为解决此问题而生。它采用高磁导率坡莫合金（如 MuMETAL® 或 Co-NETIC®）精密制造，贴合于镜筒内壁。其高磁导率为杂散磁场提供低磁阻“旁路”，将磁力线束缚在屏蔽层内，从而为电子束创造纯净、稳定的传播环境，是实现纳米级光刻精度的基础保障

• 守护光刻精度的核心：有效抑制地磁、设备等产生的低频杂散场，防止电子束偏移和束斑畸变，确保实现纳米级图形转移。

• 搭载高性能屏蔽材料：采用初始磁导率≥80,000的坡莫合金，对DC至1kHz频段的外部干扰提供>60dB的高效衰减。

• 集成化与轻量化设计：直接作为内衬集成于镜筒，节省空间。采用“铝+坡莫合金”复合结构，可实现减重约50%，降低设备负载。

• 支持定制化方案：支持按EBL设备品牌型号、镜筒尺寸及屏蔽性能需求深度定制，确保无缝集成与最优性能。

• 极低的束斑偏移：有效屏蔽外部干扰，将电子束的位置偏移控制在纳米级，保障曝光图形精度。

• 高效的磁场衰减：对DC至1kHz的低频磁场提供>60dB的衰减。例如，2mm厚的坡莫合金层即可衰减90% 的1kHz以下磁场。

• 优化的镜筒内磁场环境：可将镜筒内关键区域的剩余磁场降低至<0.01 mT，达到高端电镜的严苛要求。

• 稳定的温度特性：在EBL设备20-40°C的恒温工作环境下，磁导率衰减小于5%，确保屏蔽效能长期稳定。