在光刻机中，激光干涉仪是晶圆台（Wafer Stage）和掩模台（Reticle Stage）定位的“眼睛”。它通过分束激光干涉测量平台相对基准的位置变化，获得亚纳米级分辨率的位移量测。测得的位置误差通过高速控制回路实时反馈，驱动磁悬浮工件台将误差修正至纳米级。

然而，激光干涉仪的测量精度极易受到磁场干扰。光刻机工件台采用磁悬浮驱动技术，通过电磁力悬浮台面，其内部的直线电机、音圈电机（VCM） 等电磁执行器在工作时会产生较强的交变漏磁场。同时，地磁场（约25–65 μT）及周边设备杂散场也会影响干涉仪光路的稳定性。对于套刻精度要求已低至<2 nm的先进制程光刻机而言，任何微小的磁场波动都足以引起干涉仪读数漂移，直接劣化工件台定位精度与曝光质量。

我们的激光干涉仪测量平台磁屏蔽罩正是为此而生——采用高磁导率坡莫合金（MuMETAL®/1J85） 精密成型，直接套设于激光干涉仪的光学模组及测量反射镜外围，形成一道高衰减、低剩磁的磁隔离屏障，确保干涉仪在复杂的电磁环境中输出稳定、精准的位移测量信号。

• 极近源屏蔽，精准保护测量光路：屏蔽罩直接安装于干涉仪光学模组及测量反射镜外围，从干扰进入测量光路的“最后一厘米”处实施屏蔽，效果远优于设备外部全局屏蔽。

• 高磁导率材料，高效衰减低频漏磁：采用初始磁导率≥80,000的坡莫合金，对光刻机工件台驱动电机及地磁场产生的DC–1kHz低频交变漏磁场提供>60 dB的衰减。

• 超薄精密成型，适配紧凑空间：采用0.3–1.0 mm薄板精密加工，满足光刻机工件台内部毫米级安装间隙的严苛约束，不改变工件台原有动力学特性与质量分布。

• 低剩磁设计，不引入额外偏差：经精密氢气退火处理，屏蔽罩自身剩磁<0.05 µT，不会对干涉仪的光路及位置反馈信号引入额外的磁场偏置。

• 多轴干涉仪阵列兼容：光刻机典型配置包括多套独立激光头构成空间坐标基准。屏蔽罩支持模块化设计，可适配多轴干涉仪阵列的布局需求，确保各测量轴之间不发生磁串扰。

激光干涉仪测量平台磁屏蔽罩的性能，核心体现在对工件台定位精度与套刻精度的直接保障上：

• 工件台定位精度保障：清华大学研发的光刻机双工件台已实现运动精度MA＜1.6 nm、MSD＜2.6 nm。磁屏蔽罩确保这一纳米级定位精度不受磁场干扰劣化。

• 套刻精度支持：7nm及以下制程光刻机的套刻精度要求＜1.0 nm。屏蔽罩通过稳定干涉仪测量基准，保障多层曝光之间的层间对准精度。

• 动态测量稳定性：光刻机干涉仪动态采样频率达10 MHz，反馈控制响应时间<0.5 ms。磁屏蔽罩有效衰减电机换向时产生的尖峰磁场噪声，保障高速动态测量过程中干涉仪信号的纯净度。

• 多轴同步测量精度：掩模台与工件台的同步扫描误差要求<0.05 nm。屏蔽罩确保各轴干涉仪在复杂电磁环境中保持一致的测量基准，保障双台同步精度。

• 电磁兼容性：满足光刻机系统EMC Class A等级要求，屏蔽效能>60 dB（10 kHz–1 GHz）