脑深部电刺激（DBS）术中微电极记录屏蔽箱
脑深部电刺激（DBS）手术中，微电极记录（MER）是精确定位靶点的“金标准”。其核心原理是通过微电极在脑组织中实时记录神经元的放电信号，帮助医生在功能核团（如丘脑底核STN）中找到最佳刺激靶点。
然而，微电极在术中面临着多重干扰威胁：手术室的照明灯、电刀、监护仪等设备，乃至手机通讯信号，都会产生电磁干扰（EMI）。这些环境噪声与微弱的神经元放电信号（通常为μV级）叠加后，会严重扭曲信号形态、掩盖真实的神经元放电模式，导致医生难以准确识别靶点边界。
我们的脑深部电刺激（DBS）术中微电极记录屏蔽箱正是为此而生。它采用高磁导率坡莫合金（MuMETAL® / 1J85） 精密成型，构建一个高衰减、低剩磁的局部“磁静区”，将外部电磁干扰隔绝在外。该屏蔽箱已在相关专利中明确描述，是专为DBS术中微电极信号记录设计、能够对干扰信号进行有效屏蔽的专业解决方案
