薄膜椭偏仪（Spectroscopic Ellipsometry）与光谱反射计（Spectroscopic Reflectometry）是半导体、平板显示、光学镀膜等领域中纳米级薄膜厚度与光学常数（n、k） 表征的核心设备。其测量原理基于偏振光在样品表面反射后偏振态（Ψ和Δ）的变化——这一变化极其微弱，对光路中任何非理想因素都高度敏感。

然而，椭偏仪/反射计的偏振光路（起偏器、补偿器、样品台、检偏器、探测器） 对环境磁场极其敏感：

• 仪器内部的电机、电磁阀、振动隔离系统会产生交变漏磁；

• 实验室周边的电源线、变压器、大型设备会产生50Hz工频磁场；

• 对于磁性薄膜样品（如CoFeB、NiFe等），样品本身的磁化状态会改变反射光的偏振态。

这些磁场干扰会通过法拉第效应等磁光效应直接改变偏振光的偏振方向与椭偏率，导致Ψ/Δ测量值漂移、薄膜厚度拟合误差增大、批次间重复性下降。

我们的薄膜椭偏仪/光谱反射计偏振光路磁屏蔽腔正是为此而生——采用高磁导率坡莫合金（MuMETAL®/1J85） 精密成型，为从光源到探测器的整个偏振光路构建一个高衰减、低剩磁的磁隔离腔体，确保偏振光在传输过程中不受磁场干扰，保障薄膜参数测量的精度与重复性。

• 全光路一体化屏蔽，无死角防护：屏蔽腔将起偏器→样品→检偏器→探测器的完整偏振光路整体包裹，不同于仅屏蔽单个元件的局部方案，杜绝了光路中任何环节的磁场干扰盲区。

• 高磁导率材料，高效衰减低频漏磁：采用初始磁导率≥80,000的坡莫合金，对椭偏仪内部电机及环境产生的DC–1kHz低频交变漏磁场提供>60 dB的衰减。

• 兼顾屏蔽与光学通透性：屏蔽腔在光源入射端和探测器出射端预留精密光学窗口（熔融石英/SiO₂窗口），确保宽光谱（UV-VIS-NIR）偏振光信号高透过的同时不牺牲屏蔽完整性。

• 低剩磁设计，不引入额外偏振误差：经精密氢气退火处理，屏蔽腔自身剩磁<0.05 µT，不会对偏振光路引入额外的磁致偏振旋转误差。

• 兼容多品牌椭偏仪与反射计：适配J.A. Woollam、Horiba、SENTECH、FilmSense等主流品牌椭偏仪/反射计，支持按光路布局与样品台尺寸定制

偏振光路磁屏蔽腔的性能，核心体现在对薄膜参数测量精度与重复性的直接保障上：

• Ψ/Δ测量重复性提升：屏蔽腔有效衰减环境磁场波动引起的偏振态漂移，将Ψ和Δ的测量重复性（同一片样品多次测量） 提升至仪器极限水平（Ψ重复性<0.005° ，Δ重复性<0.01° ）。

• 薄膜厚度拟合精度保障：消除磁场引起的偏振测量系统误差，将单层薄膜厚度拟合精度稳定在<0.01 nm以内，满足先进制程对超薄薄膜（<10 nm）的精确表征需求。

• 批次间重复性保障：屏蔽腔确保不同时间、不同操作人员、不同机台间的测量数据具有高度一致性，批次间厚度重复性稳定在<0.5% 以内。

• 宽光谱兼容性：屏蔽腔光学窗口在190–1700 nm宽光谱范围内保持>90% 的透光率，兼容深紫外（DUV）至近红外（NIR）全波段椭偏/反射测量。

• 高温稳定性：在椭偏仪20–40°C的典型恒温工作环境下，屏蔽腔磁导率衰减<5% ，确保长期测量稳定性。