MRI磁屏蔽室是一个专为容纳MRI设备设计的多层复合结构空间。其核心原理是利用坡莫合金极高的磁导率（μ值可达100,000以上），为外部磁力线提供一条低磁阻的“旁路”，引导磁力线沿屏蔽体通过，从而大幅衰减进入室内的磁场。

对于高频干扰，屏蔽室还会复合高电导率材料层（如铜或铝） ，利用涡流效应进行有效屏蔽。同时，可选配主动磁补偿系统，实时监测并抵消残余磁场波动。通过“被动屏蔽+主动补偿”的双重保障，将室内磁场强度稳定控制在10 nT以下。

• 保障图像质量与诊断准确性：从根本上消除外部磁场对MRI超导磁体均匀性的干扰，有效抑制图像伪影，保障高分辨率成像的清晰度与诊断可靠性。

• 经顶级机构验证的屏蔽方案：采用μ值可达100,000以上的高磁导率坡莫合金，通过精确的结构设计与安装工艺，确保卓越的屏蔽效能。

• 多层复合，全频段防护：采用坡莫合金+高导电层（铜/铝）的多层复合结构。坡莫合金层负责DC–1kHz的低频磁场，导电层负责高频电磁干扰，实现从静态磁场到射频的全面防护。

• 被动+主动复合屏蔽：除被动屏蔽外，还可集成三维动态磁补偿系统，实时监测并主动抵消残余磁场波动，实现极致稳定的超低磁环境。

• 可定制化设计：可按MRI设备品牌（GE、Siemens、Philips、Canon等）、磁场强度及场地条件，定制屏蔽室的尺寸、层数（2–5层） 及主动补偿配置

• 极低的残余磁场：高性能多层屏蔽系统可将室内残余磁场稳定控制在<10 nT；在中心区域更可实现≤5 nT的超低水平。

• 卓越的屏蔽衰减：标准型（双层坡莫合金+硅钢）屏蔽效能50Hz/10kHz≥80dB；军工型（三层坡莫合金）可达≥100dB；屏蔽室整体可实现0.1Hz下≥54dB、100Hz下≥90dB的优异衰减。

• 有效控制5高斯线：可将MRI设备的5高斯（0.5 mT）安全边界线有效控制在扫描室内，避免对周边环境及人员造成影响。

• 可定制尺寸：内部净空间可按需定制，典型尺寸如2.00m (L) x 2.00m (W) x 2.20m (H)