等离子体刻蚀/沉积（ICP/PECVD）RF匹配网络屏蔽板
在ICP（电感耦合等离子体）刻蚀与PECVD（等离子体增强化学气相沉积）等关键半导体工艺中，射频（RF）匹配网络扮演着“能量管家”的角色。它将射频发生器与动态变化的等离子体负载进行阻抗匹配，以确保能量高效、稳定地传输。
然而，匹配网络内部包含的变压器、电感器等精密元件对杂散磁场极其敏感。地球磁场（约25-65 μT）以及设备自身产生的磁场，会干扰这些元件的特性，导致匹配网络参数漂移、反射功率飙升，进而引发等离子体密度波动甚至熄灭。
我们的等离子体刻蚀/沉积RF匹配网络屏蔽板，正是为解决此问题而设计。它采用高磁导率坡莫合金（MuMETAL®/1J85） 精密成型，直接安装在匹配网络外围，为其中的敏感元件提供一道高衰减、低剩磁的磁隔离屏障，确保匹配网络在复杂的电磁环境中稳定、精准地工作。
这一方案已被全球领先的半导体设备制造商验证。例如，应用材料公司（Applied Materials, Inc.）的专利中便描述了在等离子体处理腔的RF匹配网络周围设置磁屏蔽
