聚焦离子束（FIB, Focused Ion Beam）技术是微纳加工、TEM样品制备及芯片电路修改的核心手段。在双束系统（FIB-SEM）中，FIB与SEM协同工作，但SEM物镜产生的强磁场会严重偏转离子束，导致加工定位偏移和离子束光斑增大。

此外，镓离子（Ga⁺）包含⁶⁹Ga和⁷¹Ga两种同位素，在磁场中偏转程度不同，会导致束斑分裂为两个，直接影响加工分辨率。

我们的FIB镜筒磁屏蔽罩正是为解决此问题而设计。它采用高磁导率坡莫合金（MuMETAL® / 1J85） 精密成型，直接套设在FIB镜筒前端尖端，在离子束路径上形成一道高衰减、低剩磁的磁隔离屏障，有效阻断SEM物镜漏磁及其他杂散场对离子束的干扰

• 消除束斑分裂，保障分辨率：有效屏蔽外部磁场，防止Ga⁺同位素在磁场中偏转分离，消除束斑分裂现象，确保FIB的极限分辨率不受影响。

• 确保加工定位精度：阻断磁场干扰导致的离子束偏移，保障刻蚀、沉积及切割位置的精确定位。

• 高磁导率材料，高效衰减漏磁：采用初始磁导率≥80,000的坡莫合金，对SEM物镜漏磁等DC–1kHz低频磁场提供>60 dB的衰减。

• 精密成型，便捷安装：采用0.3–1.0 mm薄板精密加工，可设计为可拆卸式，便于FIB维护时快速装卸

FIB镜筒磁屏蔽罩的性能，核心体现在对加工精度与分辨率的直接保障上：

• 束斑完整性保障：有效抑制SEM物镜等外部磁场干扰，消除Ga⁺同位素的偏转分离，保证束斑的圆形度和完整性，避免束斑分裂导致的分辨率损失。

• 离子束定位精度提升：消除磁场引起的离子束漂移，保障FIB纳米级加工定位精度（典型值<10 nm）不受干扰。

• FIB-SEM协同工作兼容性：屏蔽罩专门针对FIB-SEM双束系统的协同工作场景优化，可在SEM物镜工作的同时有效隔离其漏磁场，保障两种模式的自由切换与协同作业。

• 高温稳定性：在FIB-SEM设备20–40°C的典型恒温环境下，磁导率衰减<5%。