线性可变差动变压器(LVDT)位移传感器磁屏蔽端盖

线性可变差动变压器(LVDT)位移传感器磁屏蔽端盖 - 磁屏蔽

线性可变差动变压器(LVDT)位移传感器磁屏蔽端盖是专为差动变压器式位移检测设备设计的端部专用磁屏蔽构件,采用高磁导率软磁合金材料精密成型,配套安装于传感器线圈骨架的两端,与传感器金属外壳共同构成近似闭合的磁屏蔽腔体。

其依托磁分流与磁路约束双重作用,一方面可收束 LVDT 初级激励线圈的交变磁场,减少端部漏磁损耗,提升磁能利用效率与输出信号幅值;另一方面可有效阻隔外部工频磁场、动力设备漏磁、周边永磁体等杂散磁场侵入线圈工作区,避免因外部磁干扰引发的零点漂移、输出非线性、示值抖动等问题,广泛适配工业精密位移测控、液压伺服位置反馈、航空航天姿态检测等场景,是提升 LVDT 传感器测量精度与环境抗扰能力的核心配套部件。

端盖式屏蔽结构可直接匹配标准 LVDT 传感器的端部安装尺寸,无需改动原有线圈与壳体设计,装配便捷、兼容性强;

与传感器外壳配合形成闭环屏蔽体系,相较于无屏蔽或单侧屏蔽结构,对轴向侵入的杂散磁场阻隔效果显著提升,同时大幅降低线圈端部漏磁对周边器件的电磁影响;

采用低矫顽力、高初始磁导率的专用屏蔽材料,无剩磁累积效应,不会畸变内部工作磁路,完全保留 LVDT 原有的线性输出特性与动态响应速度;

屏蔽端盖兼具物理密封防护作用,可阻挡粉尘、水汽、油污进入传感器内部腔体,同时具备优异的抗振动、抗冲击机械性能,能够适应工业现场严苛的运行环境,适配交流、直流输出全类型 LVDT 产品。

该磁屏蔽端盖具备优异的低频交变磁场屏蔽性能,可对工频磁场及工业低频漏磁实现高效衰减,有效消除工业现场电机、变压器、动力线缆带来的磁干扰影响;

通过优化端部磁路结构,可显著减少线圈端部漏磁,提升 LVDT 的输出灵敏度与信号信噪比,改善全量程内的线性度与示值重复性;

材料磁性能热稳定性优异,在宽工作温度区间内磁导率无明显衰减,可适应高低温交替的复杂工况,不会加剧零点温漂;

机械结构强度可靠,可承受工业级振动冲击载荷而不变形、不失效,长期使用无磁性能老化,同时可根据需求适配不同内径、不同安装形式的 LVDT 传感器,满足从毫米级小量程到米级大量程的位移检测屏蔽需求。

检测指标技术参数参数说明
外部磁场屏蔽衰减率≥85%(工频 / 低频交变磁场)有效阻隔轴向侵入的杂散磁场干扰
端部漏磁降低比例≥60%收束激励磁场,提升磁能利用率
线性度优化幅度线性误差降低 40% 以上改善全量程输出线性度与重复性
工作温度范围-55℃ ~ +150℃宽温域磁性能稳定,适配高低温工况
适配传感器类型交流 / 直流式 LVDT 位移传感器兼容回弹式、拉杆式、分体式全结构
结构形式端部嵌入式 / 卡扣式 / 螺纹式匹配标准 LVDT 端部安装尺寸
防护等级IP65(配套密封件)阻挡粉尘、水汽侵入传感器内部
主体材质高磁导率软磁合金低剩磁、低矫顽力,无自磁化干扰
抗振动等级15g/2000Hz满足工业设备振动运行工况
设计使用寿命≥15 万小时长期运行无磁性能衰减与机械失效


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