脑深部电刺激（DBS）手术中，微电极记录（MER）是精确定位靶点的“金标准”。其核心原理是通过微电极在脑组织中实时记录神经元的放电信号，帮助医生在功能核团（如丘脑底核STN）中找到最佳刺激靶点。

然而，微电极在术中面临着多重干扰威胁：手术室的照明灯、电刀、监护仪等设备，乃至手机通讯信号，都会产生电磁干扰（EMI）。这些环境噪声与微弱的神经元放电信号（通常为μV级）叠加后，会严重扭曲信号形态、掩盖真实的神经元放电模式，导致医生难以准确识别靶点边界。

我们的脑深部电刺激（DBS）术中微电极记录屏蔽箱正是为此而生。它采用高磁导率坡莫合金（MuMETAL® / 1J85） 精密成型，构建一个高衰减、低剩磁的局部“磁静区”，将外部电磁干扰隔绝在外。该屏蔽箱已在相关专利中明确描述，是专为DBS术中微电极信号记录设计、能够对干扰信号进行有效屏蔽的专业解决方案

• 保障靶点定位精度与手术效果：通过有效衰减手术室环境中的电磁干扰，确保微电极记录到真实、纯净的神经元放电信号，帮助医生准确判断靶点边界、优化电极植入位置。

• 专为DBS术中场景优化：屏蔽箱的结构设计充分考虑了立体定向头架、微电极推进器、患者体位等手术布局，不干扰手术操作流程与无菌环境。

• 高性能屏蔽材料：采用初始磁导率≥80,000的坡莫合金，对手术室中典型的50Hz工频及DC–1kHz低频交变磁场干扰提供>60 dB的高效衰减。

• 便捷的无菌操作设计：屏蔽箱可设计为可拆卸、可灭菌结构，适配不同品牌（如Alpha Omega、FHC、Inomed等）的微电极记录系统，方便术中快速安装与调整。

• 信噪比（SNR）显著提升：屏蔽箱有效隔绝手术室环境电磁干扰，将微电极记录信号的信噪比提升20 dB以上，使原本被噪声淹没的单个神经元放电（动作电位）清晰可辨。

• 靶点识别准确率提升：纯净的电生理信号帮助医生更准确地识别STN等功能核团的感觉运动区边界，将靶点定位准确率提升至95%以上。

• 术中刺激测试可靠性保障：DBS手术中常需进行微刺激测试以验证靶点功能。屏蔽箱有效抑制刺激伪迹对记录通道的干扰，确保测试结果的可靠性。

• 宽温区稳定性：在手术室20–25°C的恒温环境下，屏蔽箱磁导率衰减<5%，确保长时间手术中屏蔽效能一致。