流式细胞仪光电倍增管(PMT)阵列屏蔽腔

流式细胞仪光电倍增管(PMT)阵列屏蔽腔 - 磁屏蔽

在流式细胞仪中,光电倍增管(PMT)是检测微弱荧光信号和散射光信号的核心器件。然而,PMT对外部磁场极其敏感——地磁场(约0.5高斯)以及仪器内部电机、电源等产生的杂散磁场,足以干扰PMT内部光电子和二次电子的运动轨迹。磁场会导致光电子偏离正常路径无法到达第一倍增极,同时二次电子在倍增链中也会发生偏转损失,直接造成PMT增益下降、信号波动加剧、弱阳性群体分辨率降低

流式细胞仪通常采用多通道PMT阵列结构——Sony ID7000可配置多达186个探测器,SP6800采用32通道PMT阵列。在如此密集的阵列布局中,各通道PMT之间的磁串扰以及外部环境的磁场干扰问题尤为突出。

我们的流式细胞仪PMT阵列磁屏蔽腔正是为此而生——采用高磁导率坡莫合金(MuMETAL®/1J85) 精密成型,为每一支PMT提供独立的圆柱形磁屏蔽套筒,同时可配置公共铁磁屏蔽外壳包裹整排PMT阵列。屏蔽腔为PMT构建一个高衰减、低剩磁的局部“磁静区”,确保每一通道的PMT在复杂的电磁环境中输出稳定、一致的增益与信号,保障弱阳性细胞群的清晰分辨与多参数分析的可靠性。


  • 保障弱信号检测分辨率:有效衰减地磁场及设备杂散磁场对PMT内电子轨迹的干扰,稳定PMT增益,确保弱阳性细胞群与阴性群的清晰分辨

  • 独立屏蔽 + 公共屏蔽双层防护:采用 “公共铁磁屏蔽外壳 + 独立MuMETAL圆柱套筒” 的双层复合结构。公共外壳衰减环境磁场,独立套筒消除通道间磁串扰,已在联合核研究所(JINR)等机构的实验中成功验证

  • 高性能屏蔽材料:采用初始磁导率≥80,000的坡莫合金,对DC–1kHz低频磁场提供>60 dB的高效衰减。Hamamatsu等主流PMT厂商的磁屏蔽案例均采用坡莫合金材质

  • 精密设计,适配密集阵列:针对流式细胞仪PMT阵列紧凑的安装空间优化设计,屏蔽套筒厚度可控制在0.8 mm级别,不改变设备原有光学布局与PMT间距。

  • 屏蔽因子可调:屏蔽腔的屏蔽因子(屏蔽后/屏蔽前磁场强度比)可实现1/1000至1/10000的衰减


流式细胞仪PMT阵列磁屏蔽腔的性能,核心体现在对多参数检测精度与数据质量的直接保障上:

  • PMT增益稳定性保障:有效屏蔽外部磁场干扰,确保PMT倍增过程不受磁场影响,通道间增益一致性>98%

  • 弱阳性群体分辨率提升:通过降低磁场引起的增益波动和暗电流噪声,将弱阳性与阴性群体的分离度(分辨率指数)提升30%以上

  • 通道间串扰抑制:独立MuMETAL套筒有效消除相邻PMT之间的磁串扰,通道隔离度>60 dB

  • 宽温区稳定性:在流式细胞仪20–40°C的典型工作温度下,屏蔽腔磁导率衰减<5%


指标项目参数 / 详情
屏蔽材料高磁导率坡莫合金(MuMETAL® / 1J85)
初始磁导率(μ₀)≥80,000
屏蔽结构独立MuMETAL圆柱套筒 + 公共铁磁屏蔽外壳(可选)
屏蔽套筒典型厚度0.8 mm
屏蔽套筒延伸长度超出PMT前端面 ≥ PMT直径
屏蔽衰减(DC–1kHz)>60 dB
屏蔽因子1/1000 – 1/10000
通道间隔离度>60 dB
通道间增益一致性>98%
工作温度20 – 40°C
高温磁导率衰减(40°C)<5%
定制能力按PMT型号(Hamamatsu等)、阵列通道数、安装空间定制


我们的客户