超导量子干涉器件(SQUID)磁屏蔽

超导量子干涉器件(SQUID)磁屏蔽 - 磁屏蔽

超导量子干涉器件(Superconducting QUantum Interference Device, SQUID)是目前已知最灵敏的磁传感器,可检测低至fT(飞特斯拉,10⁻¹⁵ T)级的极微弱磁场信号——其灵敏度足以探测地球磁场五千分之一以下的磁场变化。这一超凡灵敏度使SQUID成为脑磁图(MEG)、心磁图(MCG)、地球物理勘探、暗物质探测、量子计算读出等前沿领域的核心传感器

然而,SQUID的超高灵敏度也是其最大的弱点——地磁场(约25–65 μT)、电子设备杂散场、甚至实验室墙体内钢筋的剩磁,都足以淹没SQUID的真实信号、破坏其超导量子干涉状态。SQUID的可靠工作,对磁屏蔽环境提出了极为苛刻的要求:在生物磁测量中,屏蔽效果需达到1/S ≤ 1/10⁻⁷;在低频(0.1–100 Hz)磁场干扰下,屏蔽结构需提供低于50 nT的洁净磁场

我们的SQUID磁屏蔽解决方案针对这一“极致灵敏、极致脆弱”的矛盾而设计——采用 “高磁导率坡莫合金 + 超导材料”多层复合屏蔽结构,为SQUID器件及其读出电路构建稳定的超低磁环境,确保其在最严苛的科研与工业场景中发挥极致性能

  1. 主图:多层屏蔽结构的剖面示意图(标注坡莫合金外层 + 超导内层 + SQUID器件位置)

  2. 原理图屏蔽前后对比——左侧显示环境磁场干扰下的SQUID噪声信号,右侧显示加装屏蔽后的纯净信号

  3. 应用图:SQUID在脑磁图(MEG)或心磁图(MCG) 系统中的安装位置示意

  4. 数据图屏蔽效能曲线图(横轴频率Hz,纵轴屏蔽衰减dB),展示从DC到100kHz的衰减特性


  • 多层复合屏蔽,全频段覆盖:采用 “外层坡莫合金(衰减低频磁场)+ 内层超导材料(利用迈斯纳效应完全排磁)” 的复合结构。坡莫合金层将环境磁场从μT级衰减至nT级,超导层(如NbTi、Nb)进一步将残余磁场完全排除,实现从DC到kHz频段的全频谱屏蔽

  • 经SQUID实测验证的屏蔽效能:多层屏蔽结构在液氦温度下经SQUID直接测试验证——径向屏蔽效能(SE)≥80 dB,轴向屏蔽效能≥68 dB。在生物磁测量系统中,外部磁偶极场衰减优于10⁻⁶(暖腔处)至10⁻⁷(磁力计位置)

  • 极低温环境适配:针对SQUID工作于液氦(4.2 K)或液氮(77 K)温区的特性,选用在低温下仍保持高磁导率的坡莫合金(如经特殊退火处理的Co-NETIC®/MuMETAL®)及低温超导材料(NbTi、Nb)。坡莫合金在4.2 K温度下经退火处理后,屏蔽效能可比未退火状态提升一个数量级

  • 有源+无源复合,可定制化设计:除被动屏蔽外,还可集成实时动态磁补偿系统,通过闭合反馈回路主动抵消残余磁场。屏蔽因数最高可达80 dB。屏蔽结构尺寸、层数、材料组合均可根据SQUID器件类型(DC-SQUID / rf-SQUID)及具体应用场景定制


SQUID磁屏蔽系统的性能,核心体现在“三个极致”

极致低的残余磁场:多层复合屏蔽结构可将SQUID工作区域的静态磁场降至<50 nT;在超导屏蔽加持下,可进一步降至<10 nT;扫描SQUID显微镜系统中可实现残余磁场<100 nT

极致高的屏蔽衰减:径向屏蔽效能(SE)≥80 dB,轴向≥68 dB;T形三层坡莫合金屏蔽可将环境磁噪声从11 pT/√Hz降至0.8 pT/√Hz(@10 Hz)

极低温下的性能保障:坡莫合金屏蔽层在4.2 K(液氦温区)经退火处理后,屏蔽效能比未退火状态提升一个数量级;超导屏蔽层(NbTi)在液氦温度下利用迈斯纳效应形成完全抗磁体


指标项目参数
屏蔽结构多层复合(外层坡莫合金 + 内层超导材料NbTi/Nb)
坡莫合金材料MuMETAL® / Co-NETIC® AA级(高磁导率镍铁合金)
坡莫合金初始磁导率≥80,000
超导屏蔽材料NbTi(铌钛合金)/ Nb(铌)
残余磁场<50 nT(多层坡莫合金)<10 nT(含超导屏蔽)
径向屏蔽效能(SE)≥80 dB
轴向屏蔽效能(SE)≥68 dB
磁偶极场衰减>10⁻⁶(暖腔处);>10⁻⁷(磁力计位置)
工作温度4.2 K(液氦)/ 77 K(液氮)
屏蔽频段DC – 100 kHz(低频磁场干扰)
可选增强动态磁补偿系统(主动屏蔽),屏蔽因数≥80 dB
定制能力按SQUID器件类型、尺寸、应用场景定制


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